蓝宝石基氮化铝

产品概述

蓝宝石基氮化铝（AlN-on-Sapphire）是高质量氮化铝外延薄膜产品，通过在蓝宝石（Sapphire）衬底上外延生长高结晶质量氮化铝（AlN）薄膜而成。该产品XRD（0002）摇摆曲线半峰宽＜0.05°，生长面表面粗糙度Ra＜1.2nm（氮化铝厚度200nm），不仅实现了产品质量的有效管控，大幅提升产品品质、确保产品稳定性，还大大降低了产品成本和生产周期。

经客户验证表明，高品质AlN on Sapphire能够大幅提升UVC LED产品良率和稳定性，助力产品性能提升。氮化铝是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料，禁带宽度高达6.2eV，具有高击穿场强、高化学和热稳定性、抗辐射等优异性能，是紫外/深紫外LED、紫外LD的最佳衬底材料，也是高功率、高频电子器件的理想衬底方案。

氮化铝（AlN）的材料优势

氮化铝是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料，具有以下突出的物理和电学性能：

• 超宽禁带 —— 直接带隙，禁带宽度6.2eV，是重要的深紫外和紫外发光材料
• 高击穿场强 —— 高击穿电场强度、高热导率、高绝缘性、低介电常数、低热膨胀系数、机械性能好、耐腐蚀，常用于高温高频高功率器件
• 优异压电性能 —— 特别是沿C轴方向，是目前制备各种传感器、驱动器以及滤波器的最佳材料之一
• 与GaN晶格匹配 —— 与GaN晶体有非常接近的晶格常数和热膨胀系数，是异质外延生长GaN基光电器件的优选衬底材料
• 高化学稳定性 —— 原子间以共价键相结合，化学稳定性好、熔点高
• 高机械强度 —— 机械强度高、电绝缘性能佳，是一种压电和介电材料；晶体薄膜硬度高，可作为耐磨涂层
• CMOS兼容 —— 制备工艺与CMOS兼容，可以和其他器件集成到同一芯片上
• 最优声波传播 —— 具备非铁电材料中最好的声波传播速度，且拥有无与伦比的压电响应，可用于制作高性能声表器件
• 宽禁带发光 —— 具有直接带隙，是重要的蓝光和紫外发光材料
• 超高传声速度 —— 沿c轴取向具有非常好的压电性和声表面波高速传播性能，传声速度快，是所有无机非铁性压电材料中最高的

技术参数

氮化铝衬底方案对比

* 蓝宝石基氮化铝以极低的XRD半峰宽（<0.05°）和极佳的表面平整度（Ra<1.2nm），在UVC LED等对晶体质量要求极高的应用中优势突出，同时成本可控。

应用场景

定制与加工能力

提供从蓝宝石衬底到AlN外延的一体化定制服务，满足不同器件的外延衬底需求。